| 商工狀態 | - |
| 核准設立日期 | - |
| 最後核准變更日期 | - |
| 登記機關 | - |
| 股市 | - |
| 已發行股份總數 | - |
| 員工人數 | - |
| 資本總額（元） | 50,000 |
| 實收資本額（元） | - |
| 序號 | 公司名稱 | 變更日期 |
|---|---|---|
| 1 | 黃綉智 | - |
該公司資本額為 50,000 元，屬於，全國同產業的公司有 1,410,943 家，其資本額超越全國 22.88% 的同產業公司。
該公司資本額為 50,000 元，屬於，同縣市（）同產業的公司有 110,218 家，其資本額超越同縣市 61.86% 的同產業公司。
該公司成立 - 年，屬於，全國同產業的公司有 1,298,695 家，其成立時間早於全國 100.00% 的同產業公司。
該公司成立 - 年，屬於，同縣市（）同產業的公司有 5,542 家，其成立時間早於同縣市 100.02% 的同產業公司。
| 序號 | 負責人姓名 | 變更日期 |
|---|---|---|
| 1 | - |
| 序號 | 職稱|負責人姓名|持股 | 變更日期 |
|---|---|---|
| 1 | - |
| 序號 | 經理人姓名|到職日期 | 變更日期 |
|---|---|---|
| 1 | -|- | - |
| 序號 | 實收資本額|資本額 | 變更日期 |
|---|---|---|
| 1 | 實收資本額|- 資本額|50,000 | - |
| 序號 | 負責人姓名 | 變更日期 |
|---|---|---|
| 1 | - | - |
| 序號 | 專利名稱 | 類別 | 公告號 | IPC | LOC | 有效期限 | 效期狀態 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 具有保護層之乾蝕刻外蓋結構 | 新型 | M489365 | H01L21/00 | - | 2017-10-31 | 失效 |
| 2 | 用以減少氧化銅之電漿處理 | 發明 | 204843 | C23G5/00 B08B7/00 | - | 2019-11-16 | 失效 |
| 3 | 用以作為一低介質電常數抗反射塗覆之碳化矽層及其沉積方法 | 發明 | 174854 | H01L21/027 | - | 2015-03-10 | 失效 |
| 4 | 處理低介電常數介電層以降低擴散之方法及設備 | 發明 | 173723 | H01L21/00 | - | 2018-02-20 | 失效 |
| 5 | 於鑲嵌應用中之低Ｋ介電層，阻障層，蝕刻中止層，及抗反射層之同步沉積 | 發明 | 158653 | H01L21/76 | - | 2019-09-28 | 失效 |
| 6 | 降低半導體元件內陷電荷的方法及設備 | 發明 | 157862 | H01L21/316 | - | 2014-05-20 | 失效 |
| 7 | 以電漿處理方式增強黏著性及減少含碳層的氧化程度 | 發明 | 154763 | H01L21/265 | - | 2004-04-30 | 失效 |
| 8 | 整合之低K值介電層及蝕刻阻層形成法 | 發明 | 150998 | H01L21/311 H01L21/762 | - | 2020-05-21 | 失效 |
| 9 | 降低半導體元件中之銅氧化及污染的方法與設備 | 發明 | 143919 | H01L21/314 H01L21/321 | - | 2020-05-04 | 失效 |
| 10 | 用以作為一阻障層與蝕刻中止層之碳化矽層及其沉積方法 | 發明 | 133152 | H01L21/027 | - | 2019-09-28 | 失效 |
