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更新時間:2024-01-02
江明崇
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共 21 筆資料
資料來源:經濟部智慧財產局
序號
專利名稱
類別
公告號
IPC
LOC
有效期限
效期狀態
1
半導體結構及其製造方法
發明
I828571
H01L21/76 H01L29/92
-
2026-12-31
有效
2
字元線結構、記憶元件及其製造方法
發明
I783212
H01L27/11563 H01L21/8239 H01L21/20
-
2023-11-10
失效
3
半導體裝置及其製造方法
發明
I677056
H01L21/8242 H01L27/108
-
2020-11-10
失效
4
內連線結構、其製造方法與半導體結構
發明
I659500
H01L21/768 H01L23/485
-
2021-05-10
失效
5
記憶元件及其製造方法
發明
I636491
H01L21/20 H01L21/8239
-
2021-09-20
失效
6
動態隨機存取記憶裝置之製造方法
發明
I566334
H01L21/8242 H01L27/108
-
2021-01-10
失效
7
動態隨機存取記憶體及其製造方法
發明
I565004
H01L21/8242 H01L27/108
-
2021-12-31
失效
8
降低接觸電阻的半導體結構
發明
I539567
H01L23/48 H01L23/52
-
2021-06-20
失效
9
電阻式記憶體及其製造方法
發明
I532228
H01L45/00 G11C13/00
-
2021-04-30
失效
10
電阻式記憶體及其製造方法
發明
I521579
H01L21/302 H01L21/8239 G11C13/00
-
2021-02-10
失效
1
2
3
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