| 序號 | 新聞 | 新聞來源 | 新聞日期 |
|---|---|---|---|
| 1 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：龍芳 | 大紀元 | 2022-11-15 |
| 2 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：台灣好報 | HiNet新聞 | 2022-11-14 |
| 3 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：朱達志 | 蕃薯藤yam | 2022-11-14 |
| 4 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：朱達志 | 台灣好報 | 2022-11-14 |
| 5 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：新頭條 | 蕃薯藤yam | 2022-11-13 |
| 6 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：張淑慧 | 蕃薯藤yam | 2022-11-13 |
| 7 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：大成報 | HiNet新聞 | 2022-11-13 |
| 8 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：張淑慧 | 大成報 | 2022-11-13 |
| 9 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：NewTalk | HiNet新聞 | 2020-01-04 |
| 10 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：簡育詮 | LINE TODAY | 2020-01-04 |
| 序號 | 專利名稱 | 類別 | 公告號 | IPC | LOC | 有效期限 | 效期狀態 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半導體裝置及其製造方法 | 發明 | I854680 | H01L21/336 H01L21/36 H01L21/76 | - | 2027-08-31 | 有效 |
| 2 | 半導體裝置結構及製造方法 | 發明 | I804889 | H01L21/768 H01L21/60 H01L23/48 | - | 2026-06-10 | 有效 |
| 3 | 去除材料層與殘餘金屬的方法 | 發明 | I341560 | H01L21/3213 | - | 2021-04-30 | 失效 |
| 4 | 半導體製程 | 發明 | I320949 | H01L21/265 | - | 2021-02-20 | 失效 |
| 5 | 清除殘餘金屬的方法 | 發明 | I312174 | H01L21/30 | - | 2021-07-10 | 失效 |
| 6 | 半導體元件及其製造方法 | 發明 | I309436 | H01L21/02 | - | 2021-04-30 | 失效 |
| 7 | 自對準金屬矽化物製程 | 發明 | I297178 | H01L21/24 | - | 2011-05-20 | 失效 |
| 8 | 製作鎳鉑合金矽化物的方法 | 發明 | I293988 | C22C19/03 | - | 2021-02-28 | 失效 |
| 9 | 半導體元件及其製作方法 | 發明 | I279838 | H01L21/02 | - | 2021-04-20 | 失效 |
| 10 | 具有鎳矽化物之半導體元件與製作鎳矽化物之方法 | 發明 | I276145 | H01L21/00 | - | 2021-03-10 | 失效 |
| 序號 | 商標圖樣 | 圖樣文字 | 商標權人 | 註冊編號 | 申請案號 | 有效期限 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 |  | 標章圖 | 洪宗佑 | 02197849 | 110057525 | 2032/01/15 |
| 2 |  | 洪老記HONG LAO JI及圖 | 洪宗佑 | 02197850 | 110057526 | 2032/01/15 |
