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更新時間:2023-01-15

黃綉智

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訴訟記錄
專利證書
10 筆資料
資料來源:經濟部智慧財產局
序號專利名稱類別公告號IPCLOC有效期限效期狀態
1具有保護層之乾蝕刻外蓋結構新型M489365H01L21/00 -2017-10-31失效
2用以減少氧化銅之電漿處理發明204843C23G5/00 B08B7/00 -2019-11-16失效
3用以作為一低介質電常數抗反射塗覆之碳化矽層及其沉積方法發明174854H01L21/027 -2015-03-10失效
4處理低介電常數介電層以降低擴散之方法及設備發明173723H01L21/00 -2018-02-20失效
5於鑲嵌應用中之低K介電層,阻障層,蝕刻中止層,及抗反射層之同步沉積發明158653H01L21/76 -2019-09-28失效
6降低半導體元件內陷電荷的方法及設備發明157862H01L21/316 -2014-05-20失效
7以電漿處理方式增強黏著性及減少含碳層的氧化程度發明154763H01L21/265 -2004-04-30失效
8整合之低K值介電層及蝕刻阻層形成法發明150998H01L21/311 H01L21/762 -2020-05-21失效
9降低半導體元件中之銅氧化及污染的方法與設備發明143919H01L21/314 H01L21/321 -2020-05-04失效
10用以作為一阻障層與蝕刻中止層之碳化矽層及其沉積方法發明133152H01L21/027 -2019-09-28失效
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