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更新時間:2023-01-15
黃綉智
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共 10 筆資料
資料來源:經濟部智慧財產局
序號
專利名稱
類別
公告號
IPC
LOC
有效期限
效期狀態
1
具有保護層之乾蝕刻外蓋結構
新型
M489365
H01L21/00
-
2017-10-31
失效
2
用以減少氧化銅之電漿處理
發明
204843
C23G5/00 B08B7/00
-
2019-11-16
失效
3
用以作為一低介質電常數抗反射塗覆之碳化矽層及其沉積方法
發明
174854
H01L21/027
-
2015-03-10
失效
4
處理低介電常數介電層以降低擴散之方法及設備
發明
173723
H01L21/00
-
2018-02-20
失效
5
於鑲嵌應用中之低K介電層,阻障層,蝕刻中止層,及抗反射層之同步沉積
發明
158653
H01L21/76
-
2019-09-28
失效
6
降低半導體元件內陷電荷的方法及設備
發明
157862
H01L21/316
-
2014-05-20
失效
7
以電漿處理方式增強黏著性及減少含碳層的氧化程度
發明
154763
H01L21/265
-
2004-04-30
失效
8
整合之低K值介電層及蝕刻阻層形成法
發明
150998
H01L21/311 H01L21/762
-
2020-05-21
失效
9
降低半導體元件中之銅氧化及污染的方法與設備
發明
143919
H01L21/314 H01L21/321
-
2020-05-04
失效
10
用以作為一阻障層與蝕刻中止層之碳化矽層及其沉積方法
發明
133152
H01L21/027
-
2019-09-28
失效
1
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