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歷程
更新時間:2025-08-26
矽基科技股份有限公司
SILICON-BASED TECHNOLOGY CORPORATION
稅籍狀態
非營業中
股票代碼
-
所在地
新竹縣寶山鄉
成立年份
1995-07-20
同地址公司
關聯企業
-
標案黑名單
-
訴訟記錄
基本資料
企業收益
企業風險
企業營運
專利證書
商標認證
進出口額貿易額
績優及獲獎
相關新聞
產業地圖
變更歷程
專利證書
共 42 筆資料
資料來源:經濟部智慧財產局
序號
專利名稱
類別
公告號
IPC
LOC
有效期限
效期狀態
1
局部氧化矽基蕭特基屏障二極體及其製造方法
發明
I283929
H01L29/872
-
2016-07-10
失效
2
蕭特基屏障接觸結構及其製造方法
發明
I255042
H01L29/47 H01L29/872
-
2012-05-10
失效
3
具有多發射電極的疊堆閘快閃記憶細胞元結構及其無接點快閃記憶陣列
發明
I255014
H01L21/8247 H01L27/115
-
2011-05-10
失效
4
平面雙擴散金氧半功率電晶體的自動對準源結構及其製造方法
發明
I253172
H01L29/10
-
2013-04-10
失效
5
自動對準凹槽式雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法
發明
I249770
H01L21/02 H01L21/70
-
2016-02-20
失效
6
自動對準凹槽式雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法
發明
I248172
H01L21/8249
-
2016-01-20
失效
7
自動對準蕭特基能障嵌位凹槽式雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法
發明
I246194
H01L29/772
-
2015-12-20
失效
8
可微縮化平面式雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法
發明
I246181
H01L27/098
-
2014-12-20
失效
9
自動對準蕭特基能障嵌位平面式雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法
發明
I236137
H01L27/095
-
2016-07-10
失效
10
自動對準平面化雙擴散金氧半電晶體結構及其製造方法
發明
I234208
H01L21/335 H01L29/94
-
2012-06-10
失效
1
2
3
4
5
進出口額貿易額
共 12 筆資料
資料來源:經濟部國際貿易局
序號
年度
總進口額
總出口額
1
2025
0
0
2
2024
0
0
3
2023
0
0
4
2022
0
0
5
2021
0
0
6
2020
0
0
7
2019
0
0
8
2018
0
0
9
2017
0
0
10
2016
0
0
1
2
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共 2 筆資料
資料來源:各大網路新聞
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