更新時間：2021-06-22
冠智電子股份有限公司
稅籍狀態
非營業中
股票代碼
-
所在地
臺北市松山區
成立年份
1995-10-26
同地址公司
關聯企業
-
標案黑名單
-
訴訟記錄
專利證書
共 20 筆資料
資料來源：經濟部智慧財產局
| 序號 | 專利名稱 | 類別 | 公告號 | IPC | LOC | 有效期限 | 效期狀態 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 具有加強抗衝穿效應，降低接面場效電晶體電阻、及提高切換速度之高密度功率電晶體之製程 | 發明 | - | H01L29/78 H01L21/76 | - | - | 無效期資料 |
| 2 | 可預防接點金屬穿透閘極層，而不影響崩潰電壓之閘極接點結構改良 | 發明 | - | H01L21/28 | - | - | 無效期資料 |
| 3 | 可適用於溝槽式功率電晶體終端範圍內之有效通道停止區之改良結構及製程 | 發明 | - | H01L21/784 | - | - | 無效期資料 |
| 4 | 具有撓性雙向開關構造之半導體動力裝置 | 發明 | - | H01L27/10 | - | - | 無效期資料 |
| 5 | 用摻雜溝槽以製成深而窄的摻雜區來改良ＭＯＳＦＥＴ之結構及製程 | 發明 | 107693 | H01L21/322 | - | 2000-08-31 | 失效 |
| 6 | 具有較短之源極寬度以強化元件韌度之新穎半導體功率元件之單元外形 | 發明 | 100538 | H01L21/28 | - | 2001-01-10 | 失效 |
| 7 | 可降低ＪＦＥＴ電阻及保護終端崩潰效應之溝槽型ＤＭＯＳ功率元件結構及製程 | 發明 | 097637 | H01L29/94 | - | 2000-08-31 | 失效 |
| 8 | ＭＯＳＦＥＴ動力元件之簡化製程以改良韌性及製造成本 | 發明 | 093969 | H01L21/322 | - | 2003-04-20 | 失效 |
| 9 | 具有可防止衝穿和降低臨限電壓的平面型ＭＯＳＦＥＴ功率元件之改良結構和製程 | 發明 | 090741 | H01L27/105 | - | 2002-10-10 | 失效 |
| 10 | 可增加崩潰電壓和改進元件靭度的新穎ＭＯＳＦＥＴ終端設計和核心單元組態 | 發明 | 090125 | H01L23/62 | - | 2002-09-10 | 失效 |
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