| 序號 | 新聞 | 新聞來源 | 新聞日期 |
|---|---|---|---|
| 1 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：杜欣穎 | 中時新聞網 | 2025-08-19 |
| 2 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：台灣中評網 | 台灣中評網 | 2025-08-19 |
| 3 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：胡照鑫 | PChome新聞 | 2025-08-08 |
| 4 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：胡照鑫 | 匯流新聞網 | 2025-08-08 |
| 5 | 新聞情緒：偏中立 新聞作者：海涵 | 台灣中評網 | 2025-08-06 |
| 6 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：林宜箴 | 國立教育廣播電臺 | 2025-08-04 |
| 7 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：張添福 | 台灣時報 | 2025-08-04 |
| 8 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：中央社 | 聯合新聞網 | 2025-08-04 |
| 9 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：許秩維 | 經濟日報 | 2025-08-04 |
| 10 | 新聞情緒：偏正面 新聞作者：許秩維 | PChome新聞 | 2025-08-04 |
| 序號 | 專利名稱 | 類別 | 公告號 | IPC | LOC | 有效期限 | 效期狀態 |
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| 1 | 鰭式場效電晶體裝置之源極／汲極區中的磊晶半導體材料非對稱形成 | 發明 | I688097 | H01L29/06 H01L29/78 H01L29/66 | - | 2021-03-10 | 失效 |
| 2 | 用於改善ＦＩＮＦＥＴ效能之閘極裙氧化及其製造方法 | 發明 | I675422 | H01L21/336 H01L29/78 | - | 2020-10-20 | 失效 |
| 3 | 用於產生表面電荷之包括壓電襯墊的ＦＩＮＦＥＴ裝置及製造該裝置之方法 | 發明 | I665737 | H01L21/336 H01L29/78 | - | 2020-07-10 | 失效 |
