更新時間：2025-08-30
美麗微半導體股份有限公司
Formosa MicroSemi CO., LTD.
稅籍狀態
營業中
股票代碼
-
所在地
宜蘭縣宜蘭市
成立年份
1996-07-06
同地址公司
關聯企業
-
標案黑名單
-
訴訟記錄
專利證書
共 7 筆資料
資料來源：經濟部智慧財產局
| 序號 | 專利名稱 | 類別 | 公告號 | IPC | LOC | 有效期限 | 效期狀態 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 具備超低順向電壓的晶粒尺寸封裝二極體元件及其製造方法 | 發明 | I624884 | H01L21/56 H01L29/41 H01L29/861 | - | 2022-05-20 | 失效 |
| 2 | 內建穩壓晶片之覆晶式ＬＥＤ元件 | 發明 | I555233 | H01L33/48 | - | 2019-10-20 | 失效 |
| 3 | 掘井引流式二極體元件／組件及其製造方法 | 發明 | I496296 | H01L29/861 H01L21/329 | - | 2021-08-10 | 失效 |
| 4 | 具備蕭特基能障（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ）之定電流半導體元件 | 發明 | I422030 | H01L29/47 H01L29/812 | - | 2017-12-31 | 失效 |
| 5 | 矽晶片與基板共構表面黏著型二極體元件製造方法及構造 | 發明 | I402923 | H01L21/58 H01L23/12 | - | 2018-07-20 | 失效 |
| 6 | 雙金屬與陶瓷組成之功率半導體構造及其製造方法 | 發明 | I253150 | H01L23/15 | - | 2017-04-10 | 失效 |
| 7 | 功率半導體之散熱構造 | 新型 | M256585 | H01L23/28 | - | 2009-01-31 | 失效 |
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